半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044175
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241387
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】デプレーション型トランジスタを使用することなく、発生された電圧をメモリセルの所要の部分に供給することが困難であった。【解決手段】第1の昇圧回路31を構成するチャージポンプ回路31aは、第1、第2の出力端を有している。第1の昇圧回路31より高い電圧を発生する第2の昇圧回路32の出力端は、第1の昇圧回路31の第2の出力端に接続され、この第2の昇圧回路32の出力端は、第1、第2の出力端間にはPチャネルトランジスタが接続され、第2の昇圧回路32の非動作時に第1、第2の出力端を同電位とする。

請求項（抜粋）：

第1、第2の出力端を有し、電源電圧を昇圧した第1の電圧を前記第1、第2の出力端から出力する第1の昇圧回路と、出力端が前記第1の昇圧回路の第2の出力端に接続され、前記電源電圧を昇圧し前記第1の電圧より高い第2の電圧を出力する第2の昇圧回路とを具備し、前記第2の昇圧回路は、昇圧動作を停止している場合においても、前記出力端に前記第1の昇圧回路から第1の電圧が供給されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H02M 3/07

FI (3件)：

G11C 17/00 632 A , H02M 3/07 , H01L 27/04 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

正電源
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-262494 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
特開平1-307097
ハイサイドスイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220574 出願人：日産自動車株式会社

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