半導体圧力センサとその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334679
公開番号（公開出願番号）：特開2001-153742
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】半導体圧力センサのチップ面積を大きくすることなく、感度を向上させることのできる半導体圧力センサを提供すること。【解決手段】圧力により変位するダイヤフラム2と、ダイヤフラム2にダイヤフラム2の変位により抵抗値の変化するピエゾ抵抗3を有して、ピエゾ抵抗3の抵抗値変化をもとに圧力を検知する半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム2面のピエゾ抵抗3形成部位もしくはピエゾ抵抗3形成部位の裏面部の少なくともいずれかに溝構造6を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

圧力により変位するダイヤフラムと、該ダイヤフラムにダイヤフラムの変位により抵抗値の変化するピエゾ抵抗を有して、該ピエゾ抵抗の抵抗値変化をもとに圧力を検知する半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム面のピエゾ抵抗形成部位もしくは該ピエゾ抵抗形成部位の裏面部の少なくともいずれかに溝構造を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

Fターム (21件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055GG01 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA03 , 4M112CA05 , 4M112CA16 , 4M112DA02 , 4M112DA06 , 4M112DA10 , 4M112DA11 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112FA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭54-162985
圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-229166 出願人：松下電工株式会社
単結晶基板構造体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273979 出願人：株式会社日立製作所

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