特許
J-GLOBAL ID:200903089556191537

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-058991
公開番号(公開出願番号):特開2008-153699
出願日: 2008年03月10日
公開日(公表日): 2008年07月03日
要約:
【課題】配線基板における実装面積を大きくすることなく、簡易な受動素子の配置構造により、外界ノイズの半導体装置への混入を防止することができる堅牢かつ信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置20は、基板25と、基板25の一方の主面に配置された半導体素子27と、複数個の受動素子23及び24とを有する。当該受動素子は、第1の高さを有する複数個の第1の受動素子23と、第1の受動素子23よりも低い第2の高さを有する複数個の第2の受動素子24とを含む。半導体素子27は、複数個の第1の受動素子23上に支持され、半導体素子27の電極と基板25の電極とがワイヤ接続される。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板と、前記基板の上方に設けられた半導体素子と、前記基板上に設けられた複数個の受動素子とを備えた半導体装置であって、 前記受動素子は樹脂により封止され、 前記半導体素子は前記樹脂上に前記基板と略平行に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 25/00
FI (1件):
H01L25/00 B
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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