プラズマドーピング方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 和田充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-054726
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212346
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】処理基板へ注入する不純物濃度及び結晶状態を制御することができるプラズマドーピング方法及び装置を提供する。【解決手段】プラズマ放電中に、ある励起波長のレーザを処理基板表面に照射し、処理基板表面の不純物濃度及び結晶状態を、散乱光によって測定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空容器内の電極に処理基板を載置し、ドーパント用ガスを前記真空容器内に供給し、前記真空容器内をある一定の圧力に制御し、プラズマを発生させるとともに、前記処理基板に高周波電力を印加して、ドーパントを前記処理基板の表面に注入してプラズマドーピング層を形成するプラズマドーピング方法において、プラズマ放電中に励起光として、前記処理基板の表面側でかつ前記プラズマドーピング層を形成する第1領域に対して、光吸収が存在する波長を持つ第1レーザ光を、前記処理基板の表面に対して直交する方向に入射させ、前記処理基板からの第1散乱光を検出器で受光し、前記検出器で受光された前記第1散乱光を分光器でスペクトル分解し、前記分光器でのスペクトル分解により、不要な励起波長を除去した後のスペクトルから第1散乱光を演算部で算出するとともに、前記算出した第1散乱光から、前記処理基板の表面の前記プラズマドーピング層の不純物濃度を前記演算部で算出し、算出した不純物濃度が、設定された不純物濃度となるようにプラズマ処理条件を制御装置でフィードバック制御するプラズマドーピング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L21/265 F , H01L21/265 T , H05H1/46 L

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許4912065号公報
プラズマ処理装置内の電流測定値から変位電流を除去するための方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-534183 出願人：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-366144 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る