特許

J-GLOBAL ID：200903089610388597

導電膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 豊田 直之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310071
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079010
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 基材の材質に左右されずに基材上の導電性薄膜を良好に改質して導電膜パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 導電性材料を含む導電性層3と、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む光熱変換層2とを有する基材1に対してレーザ光を照射し、光熱変換材料を使って導電性層3の少なくとも一部を焼成する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

導電性材料を含む導電性層が設けられ、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材に対して光を照射し、前記光熱変換材料を使って前記導電性層の少なくとも一部を焼成する工程を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01B13/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01B13/00 503D ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B

Fターム (32件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD81 ,  4M104DD88 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH35 ,  5F033HH40 ,  5F033PP26 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ68 ,  5F033QQ91 ,  5G323CA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 金属薄膜の低抵抗化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-199960   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• 導電路又は電極、およびそれらの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-194521   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-335141   出願人：富士写真フイルム株式会社