特許

J-GLOBAL ID：200903089636947403

面発光型半導体レーザアレイ

発明者： 金子 剛 ,  近藤 貴幸 ,  川瀬 健夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274633
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】面発光型半導体レーザアレイ特有の熱的クロストークを低減するために、分離溝で各素子の周囲を完全に分離すると、素子特性が劣化してしまうという問題があった。また、分離溝が原因となるへき開時の不良発生率の増加の問題も存在していた。【解決手段】面発光型半導体レーザアレイを構成する素子間に、少なくとも2つの終端部を有する溝を形成することで、放熱経路を確保し素子特性を劣化させることなく熱的クロストークを抑制することができると同時に、へき開時の不良発生率を低減することができる。熱的クロストークは、ヒートシンクと組み合わせることでより効果的に除去することができる。また、溝の終端部を円形にすることにより、へき開時の不良発生率をより効果的に低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の反射ミラーと、前記第1の反射ミラー上に形成され少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層と、前記多層の半導体層上に形成された第2の反射ミラーと、前記第2の反射ミラーの表面からレーザ光を出射可能な少なくとも2つの発光部と、前記第2の反射ミラーの表面から少なくとも前記第1の反射ミラーに至る深さで、個々の前記発光部の間に形成された溝と、を有し、前記溝は少なくとも二つの終端部を有することを特徴とする面発光型半導体レーザアレイ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面発光レーザ・ダイオード・アレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-195845   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開平4-363081
  
• 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法,光検出素子,光検出素子アレイ,空間光接続システム,並びに波長多重光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-179314   出願人：三菱電機株式会社
• 面発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077976   出願人：ソニー株式会社