特許
J-GLOBAL ID：200903089669718361

電力用半導体素子の駆動回路

発明者：
中山 靖

中山 靖 について

, 
大井 健史

大井 健史 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 田澤 博昭 ,  加藤 公延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283663
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119842
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】ゲート抵抗が小さくて、過電流の上昇率di/dtが小さいと、ゲート電圧の上昇量が低くなる。ゲート電圧の上昇量が低い場合には、過電流発生の検出精度が劣化して、過電流の発生を確実に検出することができないなどの課題があった。【解決手段】IGBT11のゲートからオンMOSトランジスタ23を見たときのインピーダンスが、オンMOSトランジスタ23からIGBT11のゲートを見たときのインピーダンスよりも高いインピーダンス回路24をIGBT11のゲートとオンMOSトランジスタ23間に挿入する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
制御回路から電力用半導体素子のオン指令を受けると、その電力用半導体素子の制御端子に印加する制御電圧を発生する制御電圧発生手段と、上記電力用半導体素子の制御端子と上記制御電圧発生手段間に挿入され、上記制御電圧発生手段から制御電圧が印加されていない状態のときの上記制御端子から上記制御電圧発生手段を見たインピーダンスが、上記制御電圧発生手段から上記制御端子と上記制御電圧発生手段間に制御電圧が印加されている状態のときの上記制御電圧発生手段から上記制御端子を見たインピーダンスよりも高いインピーダンス回路と、上記インピーダンス回路に印加される電圧を監視して、過電流の発生を検出する過電流検出手段とを備えた電力用半導体素子の駆動回路。
IPC (4件)：
H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687
FI (3件)：
H01L27/04 H ,  H03K17/08 Z ,  H03K17/687 Z
Fターム (23件)：
5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH11 ,  5F038DF01 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX32 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055EX06 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055FX33 ,  5J055GX02 ,  5J055GX05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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