特許
J-GLOBAL ID:200903089730157840

表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-017727
公開番号(公開出願番号):特開2003-217867
出願日: 2002年01月25日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 表示装置の配線材料として、信頼性の高い配線構造が求められている。【解決手段】 ガラスからなる絶縁性基板10の上に、下からモリブデンの膜からなる第1モリブデン層72、アルミニウムネオジウム合金の膜からなるアルミニウム導電層76、モリブデンの膜からなる第2モリブデン層74、二酸化シリコンの膜からなる絶縁膜層が積層される。
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に、高融点金属からなる第1の導電層と、アルミニウム合金からなる第2の導電層と、高融点金属からなる第3の導電層と、がこの順で積層された多層構造の配線を備えたことを特徴とする表示装置。
IPC (3件):
H05B 33/26 ,  G09F 9/30 336 ,  H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/26 Z ,  G09F 9/30 336 ,  H05B 33/14 A
Fターム (21件):
3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  5C094AA24 ,  5C094AA32 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB20 ,  5C094JA01 ,  5C094JA20
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 薄膜積層型導電体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-092828   出願人:富士電機株式会社
  • 特開平1-134426
  • 電子装置およびその作製方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-205417   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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