特許
J-GLOBAL ID：200903089737788128
半導体発光素子およびその製造方法並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-074433
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261266
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 光吸収に起因する輝度の低下を防止できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 第1導電型の第1半導体層3と、光を生成する発光層5と、第2導電型の第2半導体層8と、発光層5からの光に対して透明であると共に第2半導体層8に下面が直接接合された透明基板10とを順に備える。透明基板10は、上面10aの一部領域に表面電極11が設けられている。上面10aのうち表面電極11が占める領域以外の領域に、外部に対して窪んだ溝30が設けられている。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、光を生成する発光層と、第2導電型の第2半導体層と、上記発光層からの光に対して透明であると共に上記第2半導体層に第1の面が直接接合された透明基板とを順に備え、
上記透明基板は、上記第1の面とは反対側の第2の面の一部領域に表面電極が設けられ、上記第2の面のうち上記表面電極が占める領域以外の領域に、外部に対して窪んだ溝が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA77
出願人引用 (2件)
-
発光ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-064528
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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特許第3230638号公報
審査官引用 (3件)
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