特許
J-GLOBAL ID:200903089748004633

半導体の重ね合わせ方法および重ね合わされたチップオンチップ型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-047503
公開番号(公開出願番号):特開2000-252408
出願日: 1999年02月25日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】チップオンチップ型半導体装置を製造する場合に、重ね合わせようとする2つの半導体チップの電極同士は、予め接合可能な接合可能な配置でなければ重ね合わせられなかった。【解決手段】予め定める配線パターン16,20が形成された絶縁フィルム14を用意する。この絶縁フィルム14をサンドイッチするように、第1の半導体チップ11および第2の半導体チップ17を重ね合わせて接合する。第1の半導体チップ11のバンプ13aは配線パターン16を介して第2の半導体チップ17のバンプ19aと接続される。同様に、バンプ13bは配線パターン20を介してバンプ19bと接続される。さらにバンプ13b,13cが配線パターン20により接続される。【効果】電極の配置ピッチや配置位置が異なる半導体チップ11,17同士を重ね合わせて接合でき、設計の自由度の高いチップオンチップ型半導体装置を提供できる。
請求項(抜粋):
第1の半導体チップおよび第2の半導体チップを重ね合わせて積層構造にする方法であって、予め定める配線パターンが形成された絶縁フィルムを用意し、前記絶縁フィルムをサンドイッチするように、第1の半導体チップおよび第2の半導体チップを重ね合わせることを特徴とする、複数の半導体チップの重ね合わせ方法。
IPC (3件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平3-120749
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-018948   出願人:富士通株式会社
  • 特開平3-120749
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