特許
J-GLOBAL ID:200903089778738569

露光方法および露光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-134919
公開番号(公開出願番号):特開2003-332201
出願日: 2002年05月10日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 EUV光を反射型マスクに照射してその反射光を用いた露光において、EUV光の反射型マスクへの入射角度を制御して正確な露光を実現すること。【解決手段】 本発明は、EUV光源1からEUV光を所定の角度で反射型マスク4に照射し、反射したEUV光をウエハ9上へ照射する露光方法において、EUV光の反射型マスク4に対する入射角度の変化を検出し、その検出された入射角度の変化に基づきEUV光の反射型マスク4に対する入射角度を修正して露光を行う露光方法および露光装置である。
請求項(抜粋):
EUV(Extreme Ultra Violet)光を所定の角度で反射型マスクに入射し、その反射型マスク上のパターンをウエハ上へ転写する半導体製造用の露光方法において、前記EUV光の前記反射型マスクに対する入射角度の変化を検出し、その検出された入射角度の変化量に基づき前記EUV光の前記反射型マスクに対する入射角度を修正して露光を行うことを特徴とする露光方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521
FI (5件):
G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/30 531 A ,  H01L 21/30 517
Fターム (7件):
2H097CA13 ,  2H097LA10 ,  5F046DA30 ,  5F046DB05 ,  5F046GA14 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る