パターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邉一平 , 木川幸治 , 菅野重慶
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028876
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188318
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であるとともに、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法、及びそれに用いられる感放射線性樹脂組成物を提供する。【解決手段】露光量Aでアルカリ可溶性となり、露光量Bでアルカリ不溶性又は難溶性となる(但し、露光量A<露光量Bである)感放射線性樹脂組成物からなるレジスト層2に、(1)第一の開口パターンを有する第一のマスクを介して露光量Bで露光してネガ型の潜像パターンを形成するネガ型潜像パターン形成工程と、(2)第二の開口パターンを有する第二のマスク22を介して露光量Aで露光してポジ型の潜像パターン14を形成するポジ型潜像パターン形成工程と、(3)アルカリ条件で現像する現像工程とを備えたパターン形成方法である。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

露光量Aでアルカリ可溶性となり、露光量Bでアルカリ不溶性又は難溶性となる(但し、露光量A<露光量Bである)感放射線性樹脂組成物からなる、基板上に形成されたレジスト層に、 (1)第一の開口パターンを有する第一のマスクを介して、露光量Bで露光してネガ型の潜像パターンを形成するネガ型潜像パターン形成工程と、 (2)第一の開口パターンと異なる第二の開口パターンを有する第二のマスクを介して、露光量Aで露光してポジ型の潜像パターンを形成するポジ型潜像パターン形成工程と、 (3)アルカリ条件で現像して、前記ネガ型の潜像パターンに由来する第一のパターンと、前記ポジ型の潜像パターンに由来する第二のパターンと、を有する第三のパターンを形成する現像工程と、を備えたパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/038 , G03F 7/039

FI (5件)：

H01L21/30 514A , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502C , H01L21/30 502R

Fターム (15件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD06 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC17 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 5F046AA11

引用特許：

出願人引用 (2件)

ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-060955 出願人：日本電信電話株式会社
液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン

審査官引用 (5件)

ESD防止デバイス及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120845 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
トランジスタ構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-201979 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平4-070755

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