特許
J-GLOBAL ID：200903089819317735
放熱体及びパワーモジュール並びに放熱体の製造方法及びパワーモジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083023
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296493
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】使用に際して温度サイクル下に置かれた場合においても、高い接合信頼性を維持できる放熱体及びパワーモジュール並びに放熱体の製造方法及びパワーモジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板14を有する絶縁回路基板18と,この絶縁回路基板18の一方の面に設けられた放熱体17と,絶縁回路基板18の他方の面に設けられた半導体チップ13とを備えたパワーモジュール10であって、絶縁回路基板18は、絶縁基板14の一方の面に設けられた金属層16を備え、放熱体17は、少なくとも絶縁回路基板18との当接面を構成する放熱体本体部21を備え、放熱体本体部21及び金属層16は、純Al,Al合金,純Cu,またはCu合金により形成され、放熱体17は、絶縁回路基板18の一方の面にSn及びNiを含有する金属間化合物層19を介して接合されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被放熱体からの熱を放熱する放熱体であって、
放熱体本体部と、該放熱体本体部の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材とを備え、
前記放熱体本体部は、純Al,Al合金,純Cu,またはCu合金により形成され、
前記放熱体本体部と前記低熱膨張材とは、Sn及びNiを含有する金属間化合物層を介して接合されていることを特徴とする放熱体。
IPC (3件)：
H01L23/36
, H01L23/373
, H01L23/40
H01L23/36 D
, H01L23/40 F
, H01L23/36 M
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB21
, 5F036BC08
, 5F036BD01
, 5F036BD03
