特許

J-GLOBAL ID：200903074564611076

III族窒化物結晶の製造方法

発明者： 佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志 ,  川村 史朗 ,  弘田 龍
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  森 勇介
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003260
公開番号（公開出願番号）：特開2005-194146
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 III族窒化物結晶の成長速度を向上させたIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 III族元素とアルカリ金属とを含む融液7に窒素プラズマ8aを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法である。また、融液7の表面と基板10の表面との間の最短距離Xが50mm以下であることが好ましいIII族窒化物結晶の製造方法である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

III族元素とアルカリ金属とを含む融液に窒素プラズマを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 D

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077CG06 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EC04 ,  4G077EH06 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077MB12 ,  4G077MB35 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  5F053AA03 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR05

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許5868837号明細書
  
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175577   出願人：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237200   出願人：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237195   出願人：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277045   出願人：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典
• III族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-325500   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (3件)

• III-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-157041   出願人：住友電気工業株式会社
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237195   出願人：株式会社リコー
• 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-112052   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of a large GaN single crystal using the liquid phase epitaxy (LPE) technique