特許
J-GLOBAL ID：200903089835925354

基板加熱装置

発明者：
後藤 義信

後藤 義信 について

, 
鶴田 英芳

鶴田 英芳 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (7件)： 中村 友之 ,  三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄 ,  鈴木 壯兵衞 ,  高久 浩一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-117237
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303014
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】加熱面を複数ゾーンに分割し、ゾーンごとに独立した抵抗発熱体を有するセラミックスヒータにおいて、引き出し線の発熱の影響を抑制し、ゾーンごとの温度制御がより精度よく行えるセラミックスヒータを提供する。【解決手段】一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、加熱面を複数ゾーンに分割し、ゾーンごとに前記セラミックス基体中に埋設され、独立した入出力端子を持つ複数の抵抗発熱体と、各入出力端子に接続され、セラミックス基体の他方の面上に沿って配線される複数の引き出し線とを有する基板加熱装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の面に基板を載置する加熱面を有する板状のセラミックス基体と、 前記加熱面を複数ゾーンに分割して得られる各ゾーンに対応して前記セラミックス基体中に埋設された、独立した入出力端子を持つ複数の抵抗発熱体と、 各前記入出力端子に接続され、前記セラミックス基体の前記加熱面以外の外表面上に沿って配線される複数の引き出し線とを有する基板加熱装置。
IPC (7件)：
H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H05B3/02 ,  H05B3/10 ,  H05B3/12 ,  H05B3/20 ,  H05B3/74
FI (8件)：
H01L21/02 Z ,  H01L21/68 R ,  H05B3/02 B ,  H05B3/10 A ,  H05B3/12 A ,  H05B3/20 301 ,  H05B3/20 328 ,  H05B3/74
Fターム (42件)：
3K034AA02 ,  3K034AA03 ,  3K034AA12 ,  3K034AA19 ,  3K034AA21 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC17 ,  3K034CA02 ,  3K034CA21 ,  3K034GA10 ,  3K092PP20 ,  3K092QA03 ,  3K092QA06 ,  3K092QB02 ,  3K092QB08 ,  3K092QB14 ,  3K092QB26 ,  3K092QB31 ,  3K092QB33 ,  3K092QB44 ,  3K092QC03 ,  3K092QC16 ,  3K092QC34 ,  3K092QC42 ,  3K092QC43 ,  3K092QC44 ,  3K092QC59 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF19 ,  3K092RF27 ,  3K092TT40 ,  3K092VV22 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ヒーター
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192589   出願人：イビデン株式会社
審査官引用 (2件)
  • 半導体製造・検査装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-132123   出願人：イビデン株式会社
  • ウェハ支持部材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-185064   出願人：京セラ株式会社

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