半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039765
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253454
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】無効電流を低減させ、尚且つ、基板電流を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、主表面を有する半導体基板110と、半導体基板110の主表面上に設けられたP型の半導体層130と、半導体層130と半導体基板110との間に設けられたP型の埋め込み層140と、半導体層110の周囲に設けられ、半導体層130の表面から埋め込み層140にまで達するP型の第1の接続領域160と、半導体層130の表面に設けられたスイッチング素子10と、スイッチング素子10よりも接続領域160に近い半導体層130の表面に設けられ、スイッチング素子10よりも耐圧が低い低耐圧素子20とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に設けられた第1導電型の半導体層と、前記半導体層と前記半導体基板との間に設けられた第1導電型の第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層の周囲に設けられ、前記半導体層の表面から前記第1の埋め込み層にまで達する第1導電型の第1の接続領域と、前記第1の埋め込み層上にある前記半導体層の表面に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子よりも前記第1の接続領域に近い前記半導体層の表面に設けられ、前記スイッチング素子よりも耐圧が低い低耐圧素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/8234 , H01L27/088

FI (1件)：

H01L27/08 102B

Fターム (16件)：

5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BA13 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-141483 出願人：株式会社豊田自動織機製作所
高耐圧ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266481 出願人：関西日本電気株式会社
特開昭57-162359

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