特許
J-GLOBAL ID：200903089902129169

シリコン単結晶製造用石英ガラスるつぼおよび その製造方法

発明者：
渡辺 博行

渡辺 博行 について

, 
佐藤 龍弘

佐藤 龍弘 について


出願人/特許権者：
信越石英株式会社

信越石英株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095551
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171684
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】るつぼ生産性が高く、シリコン単結晶品質の向上に好適なシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼおよびその製造法を提供する。【解決手段】二酸化珪素粉末6を回転する型1内に投入し、型1内面に沿って層状に成型して前成型体を形成し、前成型体の内面から加熱して二酸化珪素粉末を部分的に溶融させて半透明石英ガラス層のるつぼ基体外層3を形成する。るつぼ基体外層3の形成中もしくは形成後に、るつぼ基外層3の内壁面に結晶化促進剤を飛散させてるつぼ基体外層3の内壁面に沿って結晶化促進剤濃度の高い結晶促進剤含有層4aを形成し、結晶化促進剤含有層4aの上に合成石英粉末6を飛散、融合させて合成石英ガラス層4を形成する工程から成る。
請求項（抜粋）：
回転する上部開口型を使用してシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼを製造する方法であって、(a)二酸化珪素粉末を前記型内に投入し、該型内面に沿って層状に成型して前成型体を形成する工程、(b)該前成型体の内面から加熱して該二酸化珪素粉末を部分的に溶融させて半透明石英ガラス層のるつぼ基体を形成する工程、(c)このるつぼ基体の形成中もしくは形成後に、該るつぼ基体の内壁面に結晶化促進剤を飛散させて該るつぼ基体の内壁面に沿って結晶化促進剤濃度の高い結晶化促進剤含有層を形成する工程、(d)該るつぼ基体の内壁面の該結晶化促進剤含有層上に合成石英粉末を飛散、融合させて合成石英ガラス層を形成する工程、からなることを特徴とするシリコン単結晶製造用石英ガラスるつぼの製造方法。
IPC (2件)：
C30B 15/10 ,  C03B 20/00
FI (2件)：
C30B 15/10 ,  C03B 20/00
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平1-148718
  • 石英ガラス材及びその製造法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028500   出願人：東芝セラミックス株式会社
  • 特開昭56-017996
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