特許
J-GLOBAL ID:200903089910559725

ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-152879
公開番号(公開出願番号):特開2008-013552
出願日: 2007年06月08日
公開日(公表日): 2008年01月24日
要約:
【課題】高い移動度を発現し且つ溶媒に対する溶解性及び耐酸化性に優れる有機半導体材料を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】 ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板上に、2-ヘキシルペンタセンのトルエン溶液をキャストすることにより、2-ヘキシルペンタセン薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記の化学式(I)で表されるような構造を有することを特徴とするポリアセン化合物。
IPC (10件):
C07C 15/20 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50 ,  C07C 25/22 ,  C07C 43/225 ,  C07C 43/20 ,  C07C 321/28 ,  C07D 317/70
FI (10件):
C07C15/20 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H05B33/14 A ,  C07C25/22 ,  C07C43/225 C ,  C07C43/20 D ,  C07C321/28 ,  C07D317/70
Fターム (13件):
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107EE03 ,  3K107GG06 ,  3K107GG07 ,  4H006AA01 ,  4H006AB92 ,  4H006EA23 ,  4H006GP03 ,  4H006GP20 ,  4H006GP22 ,  4H006TA04
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (5件)
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