特許
J-GLOBAL ID:200903089921281710

スピンバルブ型薄膜素子及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-204767
公開番号(公開出願番号):特開2000-040211
出願日: 1998年07月21日
公開日(公表日): 2000年02月08日
要約:
【要約】【課題】 センス電流は、導電層から主に非磁性導電層を中心にして流れるが、センス電流を流すことにより、右ネジの法則によってセンス電流磁界が形成され、このセンス電流磁界が、前記固定磁性層の固定磁化に影響を与えるといった問題がある。【解決手段】 第1の固定磁性層12の磁気モーメントは第2の固定磁性層14の磁気モーメントよりも大きく、前記第1の固定磁性層12の磁気モーメントは図示左方向を向いている。このため第1の固定磁性層12と第2の固定磁性層14の合成磁気モーメントは図示左方向を向いている。このためセンス電流112を図示X方向に流し、紙面に対し右回りのセンス電流磁界を発生させることにより、前記センス電流磁界の方向と、合成磁気モーメントの方向とが一致し、前記第1と第2の固定磁性層の磁化状態の安定性を向上できる。
請求項(抜粋):
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有し、前記固定磁性層の固定磁化と交叉する方向にセンス電流が流されることにより、固定磁性層の固定磁化とフリー磁性層の変動磁化との関係によって変化する電気抵抗が検出されるスピンバルブ型薄膜素子において、前記固定磁性層は、非磁性中間層を介して、反強磁性層に接する第1の固定磁性層と、非磁性導電層に接する第2の固定磁性層の2層に分断されて形成されており、前記センス電流は、前記センス電流を流すことによって、第1の固定磁性層/非磁性中間層/第2の固定磁性層の部分に形成されるセンス電流磁界の方向と、前記第1の固定磁性層の磁気モーメント(飽和磁化Ms・膜厚t)と、第2の固定磁性層の磁気モーメントを足し合わせて形成される合成磁気モーメントの方向とが、同一方向となるような方向に流されることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
Fターム (4件):
5D034BA11 ,  5D034BB03 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
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