半導体記憶装置の試験方法及び半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268320
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100199
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】外部コマンド及び外部アドレスを一括して取り込む半導体記憶装置ついて非常に効率がよくしかも精度の高い試験を行うことができる試験方法を提供する。【解決手段】制御信号が出力される信号線LIに対して容量C1〜C4とスイッチSW1〜SW4 とからなる第1〜第4の遅延回路15〜18を接続する。第1〜第4の遅延回路15〜18のスイッチ回路SW1 〜SW4 は、外部コマンドで作られた第1及び第2指定信号A1,A2に基づいて選択されその選択されたスイッチがオンされる。その結果、信号線LIの配線容量は変更されることから、信号線LIに出力される制御信号の伝送タイミングも変更する。

請求項（抜粋）：

クロック信号に同期して外部コマンド及び外部アドレスを一括して取り込む半導体記憶装置の試験方法において、制御信号が出力される信号線に対して容量とスイッチとからなる遅延回路を複数接続し、各遅延回路のスイッチを前記外部コマンドで作られた指定信号によって制御し前記信号線の配線容量を変更させて前記制御信号の伝送タイミングを変更させるようにした半導体記憶装置の試験方法。

IPC (5件)：

G11C 29/00 671 , G11C 29/00 , G01R 31/28 , G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (6件)：

G11C 29/00 671 Z , G11C 29/00 671 F , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 371 A

Fターム (25件)：

2G032AA07 , 2G032AB02 , 2G032AC10 , 2G032AK14 , 2G032AK16 , 5B024AA15 , 5B024BA07 , 5B024BA13 , 5B024BA21 , 5B024BA23 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA11 , 5B024CA15 , 5B024CA20 , 5B024CA27 , 5B024DA20 , 5B024EA02 , 5B024EA04 , 5L106AA01 , 5L106DD12 , 5L106DD37 , 5L106GG03 , 5L106GG05 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置及びデータ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-198858 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-206087
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-339278 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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