特許
J-GLOBAL ID：200903089998686314

膜-電極接合体の製造方法

発明者：
森川 博文

森川 博文 について

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希代 聖幸

希代 聖幸 について

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小嶋 定雄

小嶋 定雄 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-208929
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093424
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 従来のものに比べて性能が高く、さらにプロトン交換膜の強度劣化やイオン交換能の低下を抑えた膜-電極接合体の製造方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも、プロトン交換膜、電極触媒層、電極基材から構成される膜-電極接合体の接合工程において、予め溶媒を含んだプロトン交換膜および/または電極触媒層を用い、加圧および加熱することにより、プロトン交換膜および/または電極触媒層から溶媒を蒸発せしめることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも、プロトン交換膜、電極触媒層、及び電極基材を接合させて膜-電極接合体を製造する方法において、予め溶媒をプロトン交換膜および/または電極触媒層に含ませ、実質上溶媒には浸漬しない状態で、加圧および加熱することを特徴とする膜-電極接合体の製造方法。
IPC (10件)：
H01M 4/88 ,  C25B 1/10 ,  C25B 11/02 301 ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/08 301 ,  C25B 13/08 302 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/00 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (11件)：
H01M 4/88 Z ,  H01M 4/88 C ,  C25B 1/10 ,  C25B 11/02 301 ,  C25B 11/03 ,  C25B 13/08 301 ,  C25B 13/08 302 ,  H01M 4/86 B ,  H01M 8/00 Z ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10
Fターム (39件)：
4K011BA04 ,  4K011BA06 ,  4K011BA07 ,  4K011CA04 ,  4K011CA13 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021DB12 ,  4K021DB18 ,  4K021DB32 ,  4K021DB43 ,  5H018AA06 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB05 ,  5H018CC06 ,  5H018DD01 ,  5H018DD05 ,  5H018EE05 ,  5H018EE11 ,  5H018EE16 ,  5H018EE18 ,  5H018HH08 ,  5H018HH09 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026CX01 ,  5H026CX03 ,  5H026CX05 ,  5H026EE05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE17 ,  5H026EE19 ,  5H026HH08 ,  5H026HH09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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