薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿部美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222731
公開番号（公開出願番号）：特開2003-036510
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】上部シールド膜と電極膜との間の電気絶縁の信頼性を向上させるとともに、高密度電流に起因するエレクトロマイグレーションを回避した薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜300は、外部から印加される磁界に応答する。磁区制御膜311、312は磁気抵抗効果膜300に縦方向のバイアス磁界を印加する。一対の電極膜35、36に含まれる第1の電極膜351、361は、先端部が磁気抵抗効果膜300の表面に重なり、先端面が内角θ1で立ち上がる。第2の電極膜352、362は第1の電極膜351、361に重なり、先端面が内角θ1よりも小さい内角θ2で立ち上がる。

請求項（抜粋）：

読み取り素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記読み取り素子は、磁気抵抗効果膜と、一対の磁区制御膜と、一対の電極膜とを含んでおり、前記磁気抵抗効果膜は、外部から印加される磁界に応答するものであり、前記一対の磁区制御膜は、前記磁気抵抗効果膜に対して縦方向のバイアス磁界を印加するものであり、前記一対の電極膜のそれぞれは、第1の電極膜と、第2の電極膜とを含んでおり、前記第1の電極膜は、先端部が前記磁気抵抗効果膜の表面に重なり、先端面が内角θ1で立ち上がっており、前記第2の電極膜は、前記第1の電極膜に重なり、先端面が前記前記内角θ1よりも小さい内角θ2で立ち上がる薄膜磁気ヘッド。

Fターム (5件)：

5D034BA02 , 5D034BA09 , 5D034BA12 , 5D034BB12 , 5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114735 出願人：富士通株式会社
磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-055368 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-060297 出願人：株式会社東芝

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