特許

J-GLOBAL ID：200903090045166010

単一電子型トランジスタ、電界効果型トランジスタ、センサー、センサーの製造方法ならびに検出方法

発明者： 武笠 幸一 ,  松本 和彦 ,  石井 睦 ,  武田 晴治 ,  澤村 誠 ,  アグス スバギョ ,  細井 浩貴 ,  末岡 和久 ,  喜田 宏 ,  迫田 義博
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037866
公開番号（公開出願番号）：特開2005-229017
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】 優れた感度を有するセンサーを提供する。【解決手段】 基板1と、その基板1の上部に対向するように設けられたソース電極3ならびにドレイン電極4と、そのソース電極3とドレイン電極4の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えた単一電子トランジスタにおいて、前記チャンネルが超微細繊維(CNT)7で構成されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、その基板の上部に対向するように設けられたソース電極ならびにドレイン電極と、そのソース電極とドレイン電極の間に設けられたチャンネルとを少なくとも備えた単一電子トランジスタにおいて、前記チャンネルが超微細繊維で構成されていることを特徴とする単一電子型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/786 ,  B82B1/00 ,  G01N27/327 ,  G01N27/414 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

FI (10件)：

H01L29/78 625 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  G01N27/30 357 ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301W

Fターム (18件)：

5F110AA05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB13 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-064142   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218578   出願人：エルジー電子株式会社
• 特公昭58-019984
  

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 位置制御成長カーボンナノチューブの作製とデバイス応用
• Electronic Detection of Specific Protein Binding Using Nanotube FET Devices
• 位置制御成長カーボンナノチューブへの欠陥誘起による電気特性変化
• カーボンナノチューブを用いた量子効果ナノデバイスの集積化技術を開発