特許
J-GLOBAL ID：200903090088581614

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者：
芳賀 浩二

芳賀 浩二 について

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平井 圭三

平井 圭三 について

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間宮 勉

間宮 勉 について

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会津 和郎

会津 和郎 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197276
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017446
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 電気特性不良に至る研磨傷をほとんど発生させずに且つ高速研磨して高平坦化された基板を得ることが可能な、CMP研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 水溶性高分子/酸化セリウム粒子の重量比が1〜3になるように混合し、研磨剤の電気伝導度が0.5〜5.0mS/cmである酸化セリウム粒子、水溶性高分子、及び水を含むCMP研磨剤並びに電気伝導度が0.5〜5.0mS/cm、酸化セリウム粒子濃度が0.5〜3.0重量%で、水溶性高分子濃度が0.5〜3.0重量%である酸化セリウム粒子、水溶性高分子、及び水を含むCMP研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、酸化珪素絶縁膜が形成された半導体チップである基板の被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨することを特徴とする基板の研磨方法。
請求項（抜粋）：
酸化セリウム粒子、水溶性高分子及び水を含み電気伝導度が0.5〜5.0mS/cmであるCMP研磨剤。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00
FI (2件)：
H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H
Fターム (8件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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