特許
J-GLOBAL ID：200903090100147763

半導体装置及びその製造方法と回路基板及び電気光学装置、並びに電子機器

発明者：
伊東 春樹

伊東 春樹 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-350337
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186333
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】製造コスト増加を招くことなく狭ピッチ化に対応する。【解決手段】電極と、樹脂で形成され電極よりも突出する複数の突起体4と、電極に電気的に接続され、突起体4の上面に至る導電層5とを有する。半導体装置1に電極を避けて樹脂の層4aを形成する工程と、電極上及び樹脂の層4a上に導電層5を突起体4に応じてパターニングする工程と、パターニングされた導電層5をマスクとし、導電層5の間に位置する樹脂の層4aを除去して突起体4を形成する工程とを有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
電極と、前記電極よりも突出し、樹脂により所定のパターンで形成される複数の突起体と、前記電極に電気的に接続され、前記突起体の上面に至る導電層とを有する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体装置に前記電極を避けて前記樹脂の層を形成する工程と、 前記電極上及び前記樹脂の層上に前記導電層を、前記突起体の前記所定パターンに応じてパターニングする工程と、 パターニングされた前記導電層をマスクとし、前記導電層の間に位置する前記樹脂の層を除去して前記突起体を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/60 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/3205
FI (5件)：
H01L21/92 602N ,  G02F1/13 505 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/88 T ,  H01L21/92 602E
Fターム (58件)：
2H088EA23 ,  2H088EA27 ,  2H088HA02 ,  2H088HA05 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088HA28 ,  2H088MA20 ,  2H092GA11 ,  2H092GA48 ,  2H092GA62 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092MA05 ,  2H092MA11 ,  2H092MA12 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H092PA13 ,  2H092RA10 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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