特許
J-GLOBAL ID：200903019228856540
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233545
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 突起電極を備えた表面実装用の半導体装置の製造工程を簡略化し、かつ歩留まりを高め、それによって低コスト化を実現する。【解決手段】 集積回路を設けた半導体基板12上に、その電極パッド14の周縁部を被覆してその内側を露出させるように開口部16aを有する絶縁膜16を形成し、電極パッド上に一部に被覆されない露出部14aが残るように突起状感光性樹脂20を形成し、その突起状感光性樹脂20の表面に電極パッド14の露出部14aと接続される突起電極膜24を、無電解メッキ法あるいはスパッタリング法によって形成する。
請求項（抜粋）：
集積回路とそれを外部回路に接続するための複数の電極パッドを設けた半導体基板と、該半導体基板上に形成され、前記各電極パッドの周縁部を被覆してその内側を露出させる開口部を有する絶縁膜と、前記電極パッド上に一部被覆されない露出部を残して形成された突起状感光性樹脂と、該突起状感光性樹脂を被覆するとともに、前記露出部を通じて前記電極パッドに接続する突起電極膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 21/288
, H01L 21/3205
H01L 21/92 602 E
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 C
