特許

J-GLOBAL ID：200903090161593162

半導体装置

発明者： 長谷川 義晃 ,  上田 大助 ,  油利 正昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141240
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311682
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】放熱効率が高く高出力動作時においても長期間の信頼性を有し且つ歩留まりの低下及びコストの上昇が生じることがない半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、III-V族窒化物半導体からなる基板10と、基板10の主面上に形成され、n型半導体層12及びp型半導体層14を含む半導体積層体11と、半導体積層体10の上に形成され、半導体積層体11と比べて熱伝導率が高い第1の絶縁膜15とを備えている。p型半導体層14はリッジストライプ部14aを有し、第1の絶縁膜15は、少なくともp型半導体層14におけるリッジストライプ部14aの両側方の領域を覆うように形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物半導体からなる基板と、 前記基板の主面上に形成されたn型半導体層及びp型半導体層を含む半導体積層体と、 前記半導体積層体の上に形成され、前記半導体積層体と比べて熱伝導率が高い材料からなる第1の絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/042 ,  H01S 5/026

FI (4件)：

H01S5/323 610 ,  H01S5/22 ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/026 612

Fターム (26件)：

5F173AA08 ,  5F173AA47 ,  5F173AD11 ,  5F173AF95 ,  5F173AF96 ,  5F173AG01 ,  5F173AG03 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AK15 ,  5F173AK21 ,  5F173AL07 ,  5F173AL12 ,  5F173AL13 ,  5F173AL21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP83 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR14 ,  5F173AR15 ,  5F173AR32 ,  5F173AR72 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体レーザ装置、半導体発光装置、半導体装置および電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-132465   出願人：ソニー株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276829   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-356049   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-332037   出願人：豊田合成株式会社