特許

J-GLOBAL ID：200903090180859157

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 原田 健史 ,  小森 一徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337177
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108949
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】閾値電圧が低く、かつ安定な有機電界効果トランジスタを開発することである。【解決手段】基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。さらに、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面と、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面との距離が10〜40nmであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極ならびにドレイン電極および有機半導体層の順に形成された電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/28

Fターム (40件)：

2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JB56 ,  2H092KA09 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092NA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG26 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM05 ,  5F110HM13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001237   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055997   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041847   出願人：株式会社東芝
• 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子装置の製造方法、及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-398537   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185816   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-333237   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Organic Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Flat-Panel Display Backplanes