半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-094099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299361
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】半導体素子に形成されてなるパッドの狭ピッチに対応し、かつ、無電解メッキの処理に耐性を有する半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、パッド12の上方に貫通穴を有するようにレジスト層20をパターニングする工程と、レジスト層20に含有する感光剤を反応させる光エネルギー36を照射する工程およびレジスト層20に含有する樹脂を架橋させる光エネルギー38を照射する工程によりレジスト層20の表面を硬化させる工程と、貫通穴内22内にパッド12と電気的に接続する金属層40、42を形成する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

半導体素子に形成されてなるパッドの上方にレジスト層を形成する工程と、前記パッド上方のレジスト層に貫通穴を有するようにレジスト層をパターニングする工程と、前記パターニングされたレジスト層をキュアし、かつ、光エネルギーを照射し架橋反応を生じさせ前記レジスト層の表面を硬化させる工程と、前記貫通穴内に前記パッドと電気的に接続する金属層を形成する工程と、を含む半導体の製造方法において、前記レジスト層に含有する感光剤を反応させる第1の光波を前記レジスト層に照射する工程と、前記レジスト層に含有する樹脂を架橋させる第2の光波を照射する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H05K 1/18

FI (3件)：

H05K 1/18 L , H01L 21/92 604 S , H01L 21/92 604 D

Fターム (8件)：

5E336AA04 , 5E336AA08 , 5E336CC32 , 5E336CC36 , 5E336CC58 , 5E336EE03 , 5E336EE05 , 5E336EE08

引用特許：

審査官引用 (14件)

露光装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-231266 出願人：株式会社東芝
特開平4-311960
特開平2-198141

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