ワークの電荷の消去中和装置およびその方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057765
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251936
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】従来の装置では、表面の帯電エネルギーは消去できるが、半導体メモリの浮遊ゲートに帯電した電子の消去ができなかった。また、EPROMのように透明窓から半導体メモリの浮遊ゲートの帯電したエネルギーを消去する手段もあるが、消去時間が2〜3時間かかった。プローブによる浮遊ゲート内の帯電エネルギー消去方法では、表面に接触して行うため、傷を付けたり破損の原因を与えるなどの問題があった。【解決手段】ワークの収納部2と、この収納部のワークを取り出し移動させる受渡機構4と、この受渡機構で受け渡されるワークを載置し搬送する搬送機構7と、前記搬送機構上のワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯8と、前記放電灯の点灯中に上昇するワークの温度を制御するワークの冷却機構9、10とを備え、前記放電灯の点灯中に、搬送機構を作動させワークの照射位置を少なくとも1回以上変える半導体記憶素子のワークの電荷の消去中和装置として構成した。

請求項（抜粋）：

半導体記憶素子および半導体などのワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷却する冷却機構とからなるワークの電荷の消去中和装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , G01R 31/26 , H01L 21/68 , H01L 29/78 , H05F 3/06

FI (5件)：

H01L 21/02 Z , G01R 31/26 Z , H01L 21/68 A , H05F 3/06 , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体ウェーハ処理装置及びその処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000165 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-093112
特開平4-354127

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