不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-199142
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123830
出願日： 2006年07月21日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】先端標準CMOSプロセスのLSIに混載可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、消去速度の高速化を実現する。【解決手段】フローティングゲート32に電荷を蓄積してデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、フローティングゲート32を共有する複数のMOSトランジスタ24,25,26を有し、書き込み時のカップリングにPMOS24を用い、消去時のカップリングにN型のデプレッションMOS(DMOS)25を用いることを特徴とし、書き込みにはPMOS24によるチャネル反転容量のカップリングを用い、消去にはN型DMOS25による空乏容量のカップリングを用いることで、従来の3トランジスタ型不揮発性メモリ素子に対して面積増加無く、消去速度を高速化する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

フローティングゲートに電荷を蓄積してデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、フローティングゲートを共有する複数のMOSトランジスタを有し、そのうち書き込み用のMOSトランジスタで書き込みにチャネル容量のカップリングを用い、消去用のMOSトランジスタで消去に空乏容量のカップリングを用いる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (21件)：

5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP30 , 5F083ER09 , 5F083ER18 , 5F083ER19 , 5F083GA22 , 5F083LA03 , 5F083ZA12 , 5F101BA01 , 5F101BB06 , 5F101BB09 , 5F101BB17 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD23 , 5F101BD24 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BG08

引用特許：

審査官引用 (4件)

EEPROMデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-380060 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
EEPROM及びフラッシュEEPROM
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-373020 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-261751 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

全件表示

前のページに戻る