半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080247
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】素子劣化が小さくデータ保持特性の良好な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】相補型MISFETの製造工程に他の工程を追加することなく形成した不揮発性メモリにおいて、データの消去時には、n型ウエル5(n型半導体分離領域3)に9Vを印加し、p型半導体領域15Bに9Vを印加し、p型半導体領域15Aに-9Vを印加し、データ書き込み用および消去用のMISFETQw1およびデータ読み出し用のMISFETQr1のソース、ドレイン(n型半導体領域14B)を開放電位とし、ゲート電極7Aから電子をFNトンネル方式でp型ウエル4へ放出する。この時、容量素子C1が形成されたp型ウエル4に負の電圧を印加し、MISFETQw1、Qr1が形成されたp型ウエル4に正の電圧を印加することにより、ゲート破壊を起こさない電圧でデータ消去動作に必要な電位差を確保する。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルを備えた半導体装置であって、半導体基板の主面に形成された第1導電型の半導体分離層と、前記半導体分離層中に形成された第2導電型の第1ウエルおよび第2導電型の第2ウエルと、前記半導体分離層中に形成され、前記第1ウエルと前記第2ウエルとを分離する第1導電型の第3ウエルと、前記第1ウエル上および前記第2ウエル上に第1ゲート絶縁膜を介して延在する第1ゲート電極と、前記第1ウエルに形成され、前記第1ゲート電極をゲート電極とするデータ書き込み用MISFETおよびデータ読み出し用MISFETと、前記第2ウエルに形成され、前記第1ゲート電極を容量電極とする容量素子とを有し、前記不揮発性メモリセルへのデータ書き込み時には、前記第2ウエルに順方向の第1電圧が印加され、前記不揮発性メモリセルのデータ消去時には、前記第2ウエルに逆方向の前記第1電圧が印加されることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , G11C 16/04

FI (6件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , G11C17/00 611E , G11C17/00 612E , G11C17/00 639B , G11C17/00 623Z

Fターム (52件)：

5B125BA08 , 5B125BA09 , 5B125CA06 , 5B125CA11 , 5B125CA27 , 5B125DB12 , 5B125DC12 , 5B125EB01 , 5B125EB07 , 5B125FA02 , 5B125FA07 , 5F083EP09 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER15 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083GA21 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083ZA13 , 5F101BA16 , 5F101BB06 , 5F101BB13 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BD23 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (2件)

EEPROMデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-380060 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-071079 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (9件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-071079 出願人：株式会社日立製作所
半導体メモリ・デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-585189 出願人：エスティマイクロエレクトロニクスエスエー
不揮発性メモリセルを有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-610071 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

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