特許

J-GLOBAL ID：200903090267899724

化合物半導体の気相成長方法及び発光素子

発明者： 厚主 文弘 ,  大久保 伸洋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132705
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321963
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 有機金属気相成長方法において、結晶中に混入する不純物を低減し、結晶品質の高い化合物半導体薄膜を再現性良く得ることを目的とする。【解決手段】 III族原料として有機金属化合物を用い、V族原料として水素化合物又は有機金属化合物を用い、これらをキャリアガスによって反応管に導入して化合物半導体薄膜を結晶成長させる方法において、前記キャリアガスに、水素とモノシラン(SiH4)の混合ガス、又は窒素とモノシラン(SiH4)の混合ガスのいずれかを用いる。

請求項（抜粋）：

III族原料として有機金属化合物を用い、V族原料として水素化合物又は有機金属化合物を用い、これらをキャリアガスによって反応管に導入して化合物半導体薄膜を結晶成長させる方法において、前記キャリアガスに、水素とモノシラン(SiH4)の混合ガス、又は窒素とモノシラン(SiH4)の混合ガスのいずれかを用いることを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341880   出願人：シャープ株式会社
• 3-5族化合物半導体と発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-070621   出願人：住友化学工業株式会社