特許

J-GLOBAL ID：200903090269932664

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 品川 修一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244010
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 十分な光透過性が得られしかも不連続な部分もないように透光性の金属膜をたとえばp型層の表面に形成でき光取り出し効率を更に向上し得るGaN系化合物半導体発光素子の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 透光性電極としての金属膜3を半導体発光素子の積層構造半導体1のたとえばp型層の表面に蒸着形成する半導体発光素子の製造方法であって、金属膜3を、積層構造半導体1の温度を20°C以下の温度に保った状態で金属材料により蒸着形成し、金属膜3の膜厚を1nm以上で5nm以下の範囲とする。また、金属材料の蒸着レートを0.1nm/秒以上で0.5nm/秒以下の範囲として金属膜3を蒸着形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を積層した積層構造半導体の表面に、透光性電極としての金属膜を蒸着形成する半導体発光素子の製造方法であって、前記金属膜を、前記積層構造半導体の温度を20°C以下に保った状態で金属材料により蒸着形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F041AA05 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07 ,  5F041DA16 ,  5F045AA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AD03 ,  5F045AD04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045EB13 ,  5F045EG03 ,  5F045EJ02 ,  5F045GB09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• p型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053477   出願人：三洋電機株式会社
• 金属層形成方法及び配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-198315   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-007245   出願人：松下電器産業株式会社