特許
J-GLOBAL ID：200903087726751157

p型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法

発明者：
松下 保彦

松下 保彦 について

, 
竹内 邦生

竹内 邦生 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053477
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256184
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 オーミック特性および半導体膜との付着性に優れ、また、透光性電極として用いる場合にも付着性および導通性に優れたp型窒化物半導体の電極を提供する。【解決手段】 この発明のp型窒化物半導体の電極は、例えば、青色LEDのp-GaN層3上の透光性電極4として形成されるものであり、オーミック接触を得るように形成されたパラジウム(Pd)と、その上面に形成された金(Au)とから成っている。
請求項（抜粋）：
パラジウム(Pd)から成るp型窒化物半導体の電極。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (9件)
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