パルス研磨技術を用いた薄い材料の化学機械研磨

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-524253
公開番号（公開出願番号）：特表平10-513121
出願日： 1996年01月11日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：

【要約】均一な化学機械平坦化は、平坦化されるウェハに与えられる圧力を初期の最適の圧力と好ましくは約0psiである減じられた第2の圧力との間でパルス状に与えることによって高速の材料除去速度において達成される。

請求項（抜粋）：

ウェハの表面が平坦化される半導体装置を製造する方法であって、ウェハに第1の圧力を与えながら、平坦化を行なうために表面を化学機械研磨するステップと、化学機械研磨の間第1の圧力を第2の圧力へ断続的に複数回減ずるステップとを含む方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 B , H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 K

引用特許：

審査官引用 (14件)

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