特許
J-GLOBAL ID：200903090294055260
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139196
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008359
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 BGAパッケージにおいて、コンデンサの接続、または誘電体層の形成によってノイズキラーとして作用させ、高密度・高速化に対応したノイズ対策が可能な半導体集積回路装置を提供する。【構成】 表面実装形のBGAパッケージであって、プリント基板1の裏面に球形の半田バンプ2がアレイ状に並べられ、この表面には半導体チップ3の他にコンデンサ4が搭載され、ボンディングワイヤ5により接続されてモールド樹脂6により封止されている。このプリント基板1には、電源層7、グランド層8および信号層9が積層され、半導体チップ3が、ボンディングワイヤ5a〜5c、スルーホール10a〜10cを介して電源層7、グランド層8および信号層9、さらに半田バンプ2a〜2cに接続され、またコンデンサ4がスルーホール10d,10eを介して電源層7およびグランド層8に接続されている。
請求項（抜粋）：
プリント基板の裏面に球形の半田バンプがアレイ状に並べられて入出力端子とされ、かつ前記プリント基板の表面に半導体チップが搭載されてモールド樹脂あるいはポッティングにより封止されるBGAパッケージの半導体集積回路装置であって、前記プリント基板を電源層、グランド層および信号層を積層する多層構造として、前記プリント基板の表面にコンデンサを実装し、該コンデンサの端子を前記電源層と前記グランド層との間に接続することを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (4件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 B
, H01L 23/12 E
