配線形成装置及びその方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343797
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 CMP処理そのものを省略したり、CMP処理の負荷を極力低減しつつ、銅を埋込んで銅配線を形成する一連の銅配線形成工程を連続的に行えるようにした配線形成装置及び方法を提供する。【解決手段】基板の表面に銅を成膜して該銅を微細窪み内に埋込んだ銅配線を形成する配線形成装置であって、ハウジング10の内部に、基板を搬送する搬送経路25を設け、この搬送経路25に沿って、銅めっき処理部12、電解または化学研磨処理部18,20及びアニール処理部16を配置した

請求項（抜粋）：

基板の表面に銅を成膜して該銅を微細窪み内に埋込んだ銅配線を形成する配線形成装置であって、ハウジングの内部に、基板を搬送する搬送経路を設け、この搬送経路に沿って、銅めっき処理部、電解または化学研磨処理部及びアニール処理部を配置したことを特徴とする配線形成装置。

IPC (12件)：

H01L 21/3205 , C23F 1/00 103 , C23F 1/00 104 , C23F 3/06 , C25D 5/48 , C25D 7/12 , C25F 3/22 , C25F 3/30 , C25F 7/00 , H01L 21/288 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (12件)：

C23F 1/00 103 , C23F 1/00 104 , C23F 3/06 , C25D 5/48 , C25D 7/12 , C25F 3/22 , C25F 3/30 , C25F 7/00 M , H01L 21/288 Z , H01L 21/304 622 N , H01L 21/304 622 Q , H01L 21/88 M

Fターム (57件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024CA01 , 4K024DB01 , 4K024DB10 , 4K024GA02 , 4K024GA16 , 4K057WA04 , 4K057WB04 , 4K057WE04 , 4K057WF04 , 4K057WK01 , 4K057WK06 , 4K057WM11 , 4K057WM13 , 4K057WM18 , 4K057WN01 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ46 , 5F033QQ73 , 5F033RR04

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-312834 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-179190 出願人：株式会社日立製作所
特表平4-507326

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