特許
J-GLOBAL ID：200903052291616793
スピンバルブ型薄膜素子及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204756
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040209
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 特開平9-16920号には、固定磁性層を2層に分断し、交換結合磁界を向上できる発明について記載されている。しかし、反強磁性層に、ブロッキング温度が低く、また交換結合磁界の小さいNiOを使用しているため、前記固定磁性層の磁化の熱的安定性を向上できなかった。【解決手段】 反強磁性層11に、ブロッキング温度が高く、さらに第1の固定磁性層52との間で大きい交換結合磁界を発生するPtMn合金を使用する。さらに、第1の固定磁性層52と第2の固定磁性層54の膜厚比、非磁性導電層や反強磁性層の膜厚などを適正に調節することにより、少なくとも500(Oe)以上、より好ましくは1000(Oe)の交換結合磁界を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に磁化が揃えられるフリー磁性層とを有するスピンバルブ型薄膜素子において、前記固定磁性層が、非磁性中間層を介して2層に分断されて形成されており、反強磁性層に接する前記固定磁性層を第1の固定磁性層、非磁性導電層に接する前記固定磁性層を第2の固定磁性層とした場合に、(第1の固定磁性層の膜厚)/(第2の固定磁性層の膜厚)が、0.33〜0.95、あるいは1.05〜4の範囲内であることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BB08
