磁気抵抗効果素子およびその形成方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-141463
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328064
出願日： 2005年05月13日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】磁化自由層における保磁力と磁歪定数とのバランスを最適化し、より高い信号検出感度を示すと共に安定した性能を発揮する磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 MR素子1におけるフリー層20は、鉄含有率が20at%以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるCoFe層21と、鉄含有率が15at%〜20at%のニッケル鉄合金(NiFe)からなるNiFe層22とがスペーサ層16の側から順に積層されたものである。CoFe層21は例えば0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有している。一方、NiFe層22は例えば1.5nm以上5.0nm以下の厚みを有している。これにより、フリー層20の磁歪定数λは+1×10-6以上+3×10-6以下となり、フリー層20の保磁力Hcは5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下となる。この結果、より大きな抵抗変化率ΔR/Rを確保することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体を用意する工程と、前記基体上に、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層と、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層とを順に積層することにより磁化自由層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。

IPC (6件)：

H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10

FI (7件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10

Fターム (6件)：

5D034BA03 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB01

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第6680831号明細書
米国特許第6529353号明細書
米国特許第6519124号明細書

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審査官引用 (5件)

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-025994 出願人：株式会社東芝
スピンバルブ膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242586 出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-431571 出願人：株式会社東芝

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