特許
J-GLOBAL ID:200903090408418601

微細パターンの製造方法および転写材料

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-231139
公開番号(公開出願番号):特開2004-071934
出願日: 2002年08月08日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】半導体製造プロセス、光学素子、高密度記録等の微細なパターンをスタンピング成形するための優れた転写材料および製造方法を提供することにある。【解決手段】100μ以下のパターンをスタンピング成型するにあたり硬化収縮が2%以下である転写材料を使用することによって、好ましくはシアン酸エステルモノマーまたはオリゴマーを転写材料として使用することによって、さらには、これらにUV硬化型樹脂を混合したり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂を混合したりしたものを転写材料として使用することによって上記課題を解決しうる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
100μ以下のパターンをスタンピング成型するにあたり硬化収縮が2%以下である転写材料を使用する微細パターンの製造方法。
IPC (3件):
H01L21/027 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00
FI (3件):
H01L21/30 502D ,  B81C1/00 ,  B82B3/00
Fターム (1件):
5F046AA28
引用特許:
審査官引用 (5件)
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