特許
J-GLOBAL ID：200903090422305690

基板処理装置

発明者：
相原 友明

相原 友明 について

, 
本庄 一大

本庄 一大 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 杉谷 勉 ,  戸高 弘幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-183276
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021420
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】制御部67は、基板Wに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ28bを操作して排気を行わせてチャンバ27内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル33から溶剤蒸気を供給させてチャンバ27内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ28bでの気体の排出を併用するので、チャンバ27内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Wを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、 処理液を貯留する処理槽と、 前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、 基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、 前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、 前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、 前記チャンバ内の気体を排気する減圧手段と、 前記基板支持機構を処理位置に移動させて基板に対して処理液による処理を行わせた後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させるとともに、前記減圧手段を操作して排気を行わせて前記チャンバ内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で前記減圧手段による排気及び前記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給を停止させ、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を供給させて前記チャンバ内を溶剤雰囲気にさせた後、前記基板支持機構を乾燥位置に移動させる制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/304 651K ,  H01L21/306 J ,  H01L21/304 651H
Fターム (18件)：
5F043DD05 ,  5F043DD13 ,  5F043EE01 ,  5F043EE07 ,  5F043EE27 ,  5F043EE32 ,  5F043EE37 ,  5F157AB46 ,  5F157AC03 ,  5F157AC26 ,  5F157CB14 ,  5F157CB22 ,  5F157CB29 ,  5F157CD04 ,  5F157CE57 ,  5F157CE77 ,  5F157DB47 ,  5F157DC31
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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