特許
J-GLOBAL ID:200903045694457133
基板処理装置および基板処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-191457
公開番号(公開出願番号):特開2007-012859
出願日: 2005年06月30日
公開日(公表日): 2007年01月18日
要約:
【課題】基板処理装置において、微細なパターン間の水残りに起因する、シリンダー倒壊やトレンチ内の乾燥不良等の問題の発生を抑制できる技術を提供する。【解決手段】ガス溶解部44において、純水中に二酸化炭素を加圧溶解させて二酸化炭素溶解リンス液rCを生成する。二酸化炭素溶解リンス液rCを貯留した処理槽20内に基板Wを浸漬して表面洗浄を行った後に、IPAガス雰囲気下におかれているチャンバ10内に引き上げて基板Wを乾燥する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板の表面処理を行う基板処理装置であって、
基板を収容して内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、リンス液を貯留可能な処理槽と、
純水に二酸化炭素を溶解させたリンス液を前記処理槽中に貯留させた状態とするリンス液準備手段と、
前記処理槽に貯留されたリンス液中に基板が浸漬する浸漬位置と、前記チャンバ内における前記処理槽よりも上方の引き上げ位置との間で基板を保持して昇降させる昇降手段と、
前記処理槽中において前記リンス液による表面洗浄処理が終了した基板を前記昇降手段によって保持した状態で前記リンス液の液面から相対的に引き上げる際に、前記チャンバ内に有機溶剤のガスを供給する有機溶剤ガス供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
H01L 21/304
, B08B 3/08
, B08B 3/04
, B08B 3/02
, G02F 1/13
, G02F 1/133
FI (9件):
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 642A
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 651L
, B08B3/08 Z
, B08B3/04 Z
, B08B3/02 B
, G02F1/13 101
, G02F1/1333 500
Fターム (18件):
2H088FA17
, 2H088FA21
, 2H088FA30
, 2H088MA20
, 2H090JC19
, 3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB08
, 3B201AB34
, 3B201AB44
, 3B201BB02
, 3B201BB22
, 3B201BB92
, 3B201BB93
, 3B201CC01
, 3B201CC12
, 3B201CD11
, 3B201CD35
引用特許:
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