両面成膜方法およびその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344244
公開番号（公開出願番号）：特開平7-173620
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：

【要約】【目的】良質の光学薄膜等を基板の両面に同時に成膜する。【構成】真空室1内に垂直に保持された基板W1 の両面にそれぞれMgF2 のクラスターイオンビーム蒸発源2a,2bからクラスターイオンビームを照射してMgF2 の光学薄膜F1 ,F2 を同時に成膜する。クラスターイオンビームやクラスタービームは斜めあるいは垂直方向下向きに照射して成膜することが容易であり、加えて、MgF2 等のフッ化物を材料とする場合でも光学特性や耐久性にすぐれた良質の光学薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：