半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078634
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282871
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置100は、半導体層10の上方に絶縁層12を介して形成された導電層14を含む。絶縁層12は、窒素原子を含む酸化シリコンからなる。絶縁層12は、導電層14との界面12a近傍に窒素原子の濃度分布の第1のピーク91を有し、かつ、半導体層10との界面12b近傍に窒素原子の濃度分布の第2のピーク92を有する。第1のピーク91は第2のピーク92よりも窒素原子の濃度が高い。

請求項（抜粋）：

半導体層と、該半導体層の上方に形成され、窒素原子を含む酸化膜からなる絶縁層と、該絶縁層の上方に形成された導電層とを含み、前記絶縁層は、前記導電層との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第1のピークを有し、かつ、前記半導体層との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第2のピークを有し、前記第1のピークは、前記第2のピークよりも窒素原子の濃度が高い、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/283 C , H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (35件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE11 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F140AA23 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG14 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子デバイスのゲート酸化物を硬化させる方法及び半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-304413 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-108128 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-243401 出願人：松下電器産業株式会社

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