特許

J-GLOBAL ID：200903041526454506

信頼できる極薄酸窒化物形成のための新規なプロセス

発明者： ハオ,ミン-イン ,  オウグル・ジュニア,ロバート・ビィ ,  リスターズ,デリック
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-512614
公開番号（公開出願番号）：特表2001-502115
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：

【要約】MOSFETのゲート酸化物またはEEPROMのトンネル酸化物として使用するための、極薄誘電体層を成長させるためのプロセスを記載する。ウェハと酸窒化物との界面におよび酸窒化物の表面に窒素濃度のピークを有し、かつ、酸窒化物のバルク内に低い窒素濃度を有する、シリコン酸窒化物層が、酸化窒素および窒素性酸化ガス内で一連のアニールを行なうことによって形成される。このプロセスは、厚さを正確に制御し、界面構造を改善し、電子トラップを低密度とし、さらに、誘電体層および基板から/へのドーパントの不純物拡散を阻止することができる。このプロセスは、既存の製造プロセスに容易に統合することができ、しかも、コストはほとんど増すことがない。

請求項（抜粋）：

シリコン基板のきれいな表面上に薄い誘電体層を作成するための、集積回路製造プロセスであって、 アニール室内に前記シリコン基板を設置するステップと、 前記アニール室内に第1の気圧の酸化窒素ガスを供給するステップと、 前記基板を第1の時間期間の間、第1の高温でアニールするステップと、 前記アニール室から前記酸化窒素ガスを取除くステップと、 前記アニール室内に第2の気圧の酸化用ガスを供給するステップと、 前記基板を第2の時間期間の間、第2の高温でアニールするステップとを含み、 前記ステップは前記シリコン基板の前記きれいな表面上に酸窒化物の誘電体層を提供し、前記誘電体層は前記シリコン基板との界面を有しかつ前記界面に対向する表面を有し、前記誘電体層は前記界面近傍に窒素濃度の第1のピークを含みかつ前記表面近傍に窒素濃度の第2のピークを含んで、接触表面から前記誘電体層を通じるドーパントの拡散を阻止する、プロセス。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-052372   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• ゲート絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128441   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-178350   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 誘電体構造形成方法及び誘電体構造を備えた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008091   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド