特許
J-GLOBAL ID：200903015617649627

半導体装置及びその製造方法

発明者：
石長 篤

石長 篤 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243401
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060198
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 窒素濃度プロファイルが改善されたゲート絶縁膜を有する電気的特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、Si基板1とゲート電極3との間に介設され、少なくとも一部にシリコン酸窒化膜を含むゲート絶縁膜2Aを備えている。シリコン酸窒化膜は、Si基板1に接する領域における窒素濃度が0atm %より大きく2atm %以下であり、かつ、最大窒素濃度を示す領域における窒素濃度が5atm%以上で20atm %以下であるような窒素濃度プロファイルを有している。このような窒素濃度プロファイルを実現するためには、酸化膜又は酸窒化膜を形成してからその表面領域をプラズマ窒化処理するか、窒化膜又は酸窒化膜を形成してからSi基板の表面領域を酸化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられたゲート電極と、上記半導体基板と上記ゲート電極との間に介設され、少なくとも一部にシリコン酸窒化膜を含むゲート絶縁膜とを備え、上記シリコン酸窒化膜は、上記半導体基板に接する領域における窒素濃度が0atm %(アトミック%)より大きく2atm %以下であり、かつ、最大窒素濃度を示す領域における窒素濃度が5atm %以上で20atm %以下であるような窒素濃度プロファイルを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (28件)：
5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21
引用特許：
審査官引用 (16件)
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