特許
J-GLOBAL ID:200903090525164408

ゲート電極およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-059134
公開番号(公開出願番号):特開平11-261071
出願日: 1998年03月11日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 ゲート電極の主部を構成するn+ Poly-Si膜の側壁に直接にp+ Poly-Si側壁部が形成されているため、熱処理を行うと不純物の相互拡散が起こり、ゲート電極の仕事関数プロファイルの制御ができなくなる。【解決手段】 ゲート電極の主部13を構成するn+ タイプのPoly-Si膜11とその側壁に形成されているゲート電極の副部15を構成するp+ Poly-Siとのように、仕事関数が異なる複数の材料を電気的に接続してなるゲート電極10において、仕事関数が異なる材料間の界面、すなわちゲート電極の主部13とゲート電極の副部15との界面に、不純物および構成元素のうちの少なくとも1種の拡散を防止する拡散防止層14を備えたものである。
請求項(抜粋):
仕事関数が異なる複数の材料を電気的に接続してなるゲート電極において、前記仕事関数が異なる材料間の界面に、不純物および構成元素のうちの少なくとも1種の拡散を防止する拡散防止層を備えたことを特徴とするゲート電極。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78
FI (4件):
H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 L
引用特許:
審査官引用 (4件)
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