特許
J-GLOBAL ID：200903090553355170
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-169761
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022469
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタ下部電極の加工性が良く、かつ熱処理においてもキャパシタ特性が劣化しない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 キャパシタ下部電極を、一定濃度の酸素、チタン等の不純物元素を添加したルテニウムまたはイリジウムを用いて形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、該半導体基板の主表面に達する開口部を有する第1の層間絶縁膜と、該開口部に埋め込まれたSiを主成分とする接続部材と、該接続部材を介して半導体基板の主表面と電気的に接続されたキャパシタ下部電極と、該キャパシタ下部電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、該キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極と、該キャパシタ上部電極上に形成された第2の層間絶縁膜を備えた半導体装置において、上記キャパシタ下部電極が、ルテニウムまたはイリジウムを主たる構成元素とし、酸素を0.001〜0.1原子%、および/またはチタン、クロム、タングステン、コバルト、パラジウム、モリブデンから選択される少なくとも1種以上の不純物元素を0.1〜5原子%含有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/28 301
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621
