特許
J-GLOBAL ID：200903090568911002
高効率発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-316565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104132
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】 高効率発光ダイオードを提供する。【解決手段】 基板と、基板の上面に積層される第1化合物半導体層と、第1化合物半導体層上の一部領域に形成される第1電極と、第1化合物半導体層上の第1電極を除外した領域上に積層され、430nm以下の波長帯域の光が生成される活性層と、活性層上に形成される第2化合物半導体層と、基板の上面面積に対する占有面積比が20%ないし80%になるように第2化合物半導体層の上面に形成される第2電極と、を具備する高効率発光ダイオード。これにより、第2電極の面積を調節して発光量を増加させることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の上面に積層される第1化合物半導体層と、
前記第1化合物半導体層上の一部領域に形成される第1電極と、
前記第1化合物半導体層上の第1電極を除外した領域上に積層され、430nm以下の波長帯域の光が生成される活性層と、
前記活性層上に形成される第2化合物半導体層と、
前記基板の上面面積に対する占有面積比が20%ないし80%になるように前記第2化合物半導体層の上面に形成される第2電極と、を具備することを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA88
, 5F041CA93
